大学职业资格刷题搜题APP
下载APP
课程
题库模板
WORD模板下载
EXCEL模板下载
题库创建教程
创建题库
登录
创建自己的小题库
搜索
刷刷题APP
> 电子迁移率
"电子迁移率"相关考试题目
1.
③单晶硅的电子迁移率为
2.
硅突变 pn 结, P 区电阻率 0.1 Ω cm ,少子寿命 5μs ; N 区电阻率 5 Ω cm ,少子寿命 1 μs ,假设该pn结的 空穴迁移率 500cm 2 /Vs,电子迁移率1 000cm 2 /Vs ,计算: 1. 室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度, 2. 正向电压 0.3V 时流过 pn 结的电流密度。 3. 计算在不同电压, -10V , 0V , 0.3V 下势垒...
3.
对于Si材料来说,因为电子迁移率大于空穴迁移率,所以电子扩散系数大于空穴扩散系数
4.
高电子迁移率晶体管(HEMT)速度高的主要原因是什么?
5.
①非晶硅的电子迁移率为
6.
室温时,n型半导体的电子迁移率随杂质浓度升高而 [ ]
7.
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品,其厚度d>>Lp,在样品上表面用波长λ=0.75μm,其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射,除反射之外,其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收,产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1,表面对这种光的反射系数R=40%,光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s,电子迁移率μn=2800cm2/(V·s...
8.
电子迁移率比硅高6倍,多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
9.
电导率为2000S/cm的n型PoTe,其电子迁移率为6000cm2/(V·s),电子有效质量为0.2m0,设为长声学波散射,求室温时温差电动势率和帕尔帖系数。
10.
室温时,p型半导体的电子迁移率随杂质浓度升高而 [ ]
11.
⑥电子迁移率的物理意义为
12.
对于MOSFET来说,反型沟道中的电子是局限在衬底表面薄层中的,其迁移率不同于体内电子迁移率。
13.
以长声学波为主要散射机构时,电子迁移率μ 与温度的( )次方成正比
14.
相同条件下,电子迁移率()空穴迁移率.
15.
某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3,电子迁移率为1000cm2/(V.s),求其电阻率。
16.
金属材料的电子迁移率很高,所以金属材料更适宜于制作霍尔元件
17.
某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3,电子迁移率为1000cm2/(V.s),求其电阻率。
18.
二维电子气最大特点是其电子迁移率高。
19.
如图所示为一柱透镜汇聚的光照射在一条状半导体pn结上,已知在室温下n区电阻率为40Ω·cm,p区电阻率为0.1Ω·cm,反向饱和电流为1μA,电子迁移率为3600cm2/(V·s),空穴迁移率为1800cm2/(V·s),n区的电子深度为3×1013cm-3,试回答下列问题:
20.
设电子迁移率为0.1cm2/V.s,硅的电子有效质量mcn=0.26m0,如加以强度为104V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
21.
相同条件下,电子迁移率()空穴迁移率.
22.
现有一块掺杂浓度N D =10 16 cm 2 的n-Ge的样品,其厚度d>>L p ,在样品上表面用波长λ=0.75μm,其强度p=4.4×10 -3 W/cm 2 的红光垂直照射,除反射之外,其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收,产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1,表面对这种光的反射系数R=40%,光生载流子的寿命τ=1.82×10 -3 s,电子迁移率μ...
23.
设电子迁移率 0.1m 2 /( V · S),Si 的电导有效质量m c =0.26m 0 , 加以强度为10 4 V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
24.
电导率为2000S/cm的n型PoTe,其电子迁移率为6000cm 2 /(V·s),电子有效质量为0.2m 0 ,设为长声学波散射,求室温时温差电动势率和帕尔帖系数。
25.
电子迁移率比硅高6倍,多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
26.
高电子迁移率晶体管缩写是()。
27.
在室温下,高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s,设电子的有效质量为mn=3×10-29g,求: (1)热运动速度平均值 (2)平均自由时间 (3)平均自由路程 (4)在外加电场为10/Vcm时的漂移速度
28.
高电子迁移率晶体管(HEMT)速度高的主要原因是什么?
29.
高电子迁移率晶体管缩写是()。
30.
砷化镓电子迁移率比硅高6倍,多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
31.
对称反相器中PMOS管的尺寸通常大于NMOS管的尺寸,原因是空穴迁移率比电子迁移率小,所以PMOS管的工艺跨导因子小于NMOS管。
32.
②多晶硅的电子迁移率为