硅突变 pn 结, P 区电阻率 0.1 Ω cm ,少子寿命 5μs ; N 区电阻率 5 Ω cm ,少子寿命 1 μs ,假设该pn结的 空穴迁移率 500cm 2 /Vs,电子迁移率1 000cm 2 /Vs ,计算: 1. 室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度, 2. 正向电压 0.3V 时流过 pn 结的电流密度。 3. 计算在不同电压, -10V , 0V , 0.3V 下势垒区宽度和单位面积的电容。