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【单选题】

②多晶硅的电子迁移率为

A.
0.5~1 cm2/V*s
B.
30~300 cm2/V*s
C.
600~700 cm2/V*s
D.
5~10 cm2/V*s
题目标签：迁移率多晶硅电子迁移率
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参考答案：
举一反三

【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
查看完整题目与答案

【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
查看完整题目与答案

【单选题】电解质溶质的迁移率是（）下的泳动速度。
A.
单位时间
B.
单位溶质质量
C.
单位电场强度
D.
单位静电引力
查看完整题目与答案

【判断题】电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。
查看完整题目与答案

【简答题】泳动度（迁移率）
查看完整题目与答案

【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法
A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
查看完整题目与答案

【简答题】设电子迁移率 0.1m 2 /( V · S),Si 的电导有效质量m c =0.26m 0 , 加以强度为10 4 V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
查看完整题目与答案

【多选题】影响电泳迁移率的因素有
A.
待分离生物大分子的性质
B.
支持介质的筛孔
C.
电渗
D.
电场强度
E.
粒子的净电荷缓冲液的性质
查看完整题目与答案

【单选题】离子的电迁移率即离子淌度与以下因素无关的是 ( ) 。
A.
离子半径
B.
温度
C.
浓度
D.
电场梯度
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A.
单位时间
B.
单位溶质质量
C.
单位电场强度
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单位静电引力
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A.
正确
B.
错误
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A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
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A.
待分离生物大分子的性质
B.
支持介质的筛孔
C.
电渗
D.
电场强度
E.
粒子的净电荷缓冲液的性质
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A.
离子半径
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