大学职业资格刷题搜题APP
下载APP
课程
玩着学单词
题库模板
WORD模板下载
EXCEL模板下载
视频教程
创建题库
登录
创建自己的小题库
搜索
刷刷题APP
> 淀积
"淀积"相关考试题目
1.
阻挡层金属是淀积金属或金属塞,其作用是增加上下层材料的附着。
2.
对芯片互连的金属和金属合金来说,它所必备一些要求是:导电率、高黏附性、淀积、( )、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
3.
掺杂二氧化硅薄膜通常是在PECVD系统中完成淀积的。
4.
sio2的残留,二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是
5.
常压化学气相淀积的工艺温度为( )。
6.
在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。
7.
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,即外延层。
8.
白浆化过程是在季节性还原淋溶条件下,黏粒与铁、锰淋溶淀积的过程。( )
9.
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
10.
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:( )。
11.
在现代CMOS工艺中,器件的制造需要在晶片上各种材料的淀积,这些材料主要包括: __________ 、__________ 、__________ 和 等;
12.
LPCVD淀积SiO2温度适中(700-800℃),对杂质再分布影响小,
13.
简述淀积膜的过程的三种不同阶段
14.
SOG平坦化时常常采用三明治结构,其中淀积产生SiO2的方式是
15.
M地貌的成因可能是①海浪侵蚀 ②珊瑚淀积 ③岩层断裂 ④泥沙堆积
16.
属于化学气相淀积的是( ) ( 1 )蒸发 ( 2 )溅射 ( 3 )硅烷热分解淀积多晶硅 ( 4 )硅烷氧化生成 SiO 2
17.
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
18.
有哪些物理沉积的薄膜方法?它们各有什么优点和限制?哪些薄膜适合于物理淀积?
19.
如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的()、()或者在器件中产生不希望的()。
20.
CVD主要用于金属薄膜材料的淀积。
21.
溅射(Sputtering)是由 轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
22.
CVD淀积SiO2薄膜过程中主要涉及的运动有哪些。( )
23.
二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
24.
一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。
25.
如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的()。
26.
在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。
27.
电阻丝加热蒸发可以淀积难熔金属。
28.
美国土壤系统分类中10大土纲,荒漠和半漠境的土壤称为()土纲;有淀积粘化层,并含有中量至高量盐基的土壤称为()土纲;有淀积粘化层和低盐基的土壤称为()土纲
29.
在众多成土过程中,在寒温带针叶林发育的SiO2残留、R2O3及()淋溶与淀积过程为()过程。
30.
PECVD是离子增强化学气相淀积的简称。
31.
硅栅MOS管制作时,下列工艺步骤的正确排列顺序是( )? 1 硅栅淀积 2 栅氧化层制作 3 源漏制作
32.
化学气相淀积是将气态反应剂以合理的流速引入反应室,在基片表面发生(),淀积成()。
33.
为溅射做一个简短的解释,并描述它的工作方式?溅射适合于合金淀积吗?溅射淀积的优点是什么?
34.
化学气相淀积在IC工艺中主要沉积哪些类型的薄膜?
35.
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?
36.
二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
37.
LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:ks>hg,此时淀积速率的特点为()
38.
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?
39.
二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
40.
低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
41.
在LPCVD中,由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是质量转移控制
42.
灰化过程是指在土体亚表层(A2)SiO2残留,R2O3淋溶、淀积的过程。( )
43.
数据中台在数据验证过程中沉淀积累( ),在每轮数据迁移后对底层数据按规则进行全量校验,避免问题重复出现。
44.
薄膜淀积的目的是什么?
45.
缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。
46.
蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖,但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。
47.
()是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
48.
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
49.
土体表层三、二氧化物及腐殖质淋溶、淀积而SiO2残留的过程称为()。
50.
通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为()。