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【简答题】

将一n型锗切成厚度为2α的大簿片,样品的长和宽足够大,使得边界效应可以忽略,从而使样品中光生载流子的输运基本是一维的,上下表面的复合速度都为s,然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收,但仍与本征吸收限接近,足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。

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参考答案:
举一反三

【多选题】关于本征吸收,以下说法正确的是?

A.
产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
B.
产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
C.
是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对
D.
是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量

【单选题】本征吸收损耗主要包括:()。

A.
红外吸收损耗、杂质吸收损耗
B.
紫外吸收损耗、杂质吸收损耗
C.
原子缺陷吸收损耗、红外吸收损耗
D.
紫外吸收损耗、红外吸收损耗

【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是

A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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C.
是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对
D.
是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量
【单选题】本征吸收损耗主要包括:()。
A.
红外吸收损耗、杂质吸收损耗
B.
紫外吸收损耗、杂质吸收损耗
C.
原子缺陷吸收损耗、红外吸收损耗
D.
紫外吸收损耗、红外吸收损耗
【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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