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【判断题】
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
A.
正确
B.
错误
相关题库：集成电路工艺原理题库
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参考答案：
举一反三
【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
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【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.
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淀积速率受表面化学反应控制
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