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【判断题】
通常,超晶格结构是基于异质结设计的。
A.
对
B.
错
题目标签:
晶格结构
异质结
超晶格结构
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参考答案:
举一反三
【判断题】该图可代表NaCl的晶格结构
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】分子筛是一种具有晶格结构的()
A.
硅酸铝
B.
结晶盐类
C.
硅铝酸盐
D.
担体
查看完整题目与答案
【单选题】γ-Fe具有 ( )晶格结构。
A.
体心立方
B.
面心立方
C.
密排六方
D.
体心四方
查看完整题目与答案
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
两种不同的半导体薄层周期性重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
查看完整题目与答案
【单选题】下列能够形成异质结的一组材料是()
A.
p型Si和p型Ge
B.
n型Si和p型Si
C.
n型Ge和p型Ge
D.
n型GaAs和p型GaAs
查看完整题目与答案
【简答题】【名词解释】晶格结构
查看完整题目与答案
【判断题】pn结二极管是一种异质结二极管。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括:
A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
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【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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【简答题】[名词解释] 同型异质结
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物理学>半导体材料考试题目
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A.
硅酸铝
B.
结晶盐类
C.
硅铝酸盐
D.
担体
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【单选题】γ-Fe具有 ( )晶格结构。
A.
体心立方
B.
面心立方
C.
密排六方
D.
体心四方
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【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
两种不同的半导体薄层周期性重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
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【单选题】下列能够形成异质结的一组材料是()
A.
p型Si和p型Ge
B.
n型Si和p型Si
C.
n型Ge和p型Ge
D.
n型GaAs和p型GaAs
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【简答题】【名词解释】晶格结构
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【判断题】pn结二极管是一种异质结二极管。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括:
A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
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【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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【简答题】[名词解释] 同型异质结
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