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【简答题】
设棒状光电导体长为l，截面积为S，在光照下棒内均匀产生电子—空穴对数为Q/cm3·s，若在棒两端施加电压V，试证光生电流与总电流之比为
式中b=μn/μp·n0为平衡导带电子浓度。设光生载流子寿命τn=τp=10-4s·Q=1014cm-3，估计300K下硅单晶的△I/I比值。
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举一反三
【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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