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> 饱和区
"饱和区"相关考试题目
1.
三极管作为开关时工作区域是饱和区+放大区
2.
三极管工作在饱和区的条件是 ( )。
3.
三极管工作在饱和区时,其集电极电流( )射极电流
4.
三极管工作在饱和区时,发射结为 ,集电结为 。
5.
三极管交替工作在饱和区和截止区时,具有开关作用。
6.
晶体三极管工作在饱和区的条件是发射结正偏,集电结正偏。( )
7.
当三极管的发射结 ,集电结 时,工作在放大区;发射结 , 集电结 时,工作在饱和区;发射结 ,集电结 时,工作在截止区。
8.
饱和区的费米能级 E F 仅由 温度 所决定。
9.
晶体管工作在饱和区的条件是______。 A .发射结正向偏置,集电结反向偏置 B .发射结反向偏置,集电结正向偏置 C .发射结正向偏置,集电结正向偏置 D .发射结反向偏置,集电结反向偏置
10.
对称型多惜振荡器叶1两个反向器均工作在( ) A.饱和区B.截止区C.深饱和区或截止区D.转折区或线性区
11.
对PNP型三极管, 当V B <V C <V E 时,三极管工作在饱和区。
12.
光电管的工作点应悬在光电流与阳极电压无关的饱和区域。
13.
三极管作为开关使用时,它主要工作在饱和区和截止区。
14.
三极管在饱和区有什么条件?
15.
1-2-5当MOSFET管工作在饱和区时,可以作为什么使用?
16.
三极管工作在饱和区的条件是 ( )。
17.
毛管饱和区高度是指()
18.
晶体管工作在截止区和饱和区时,通常都用做( )。
19.
放大器中晶体管在静态时进入饱和区的条件()。
20.
关系式 Ic= β I b 在晶体管的饱和区不成立 .( )
21.
在晶体三极管工作在饱和区时,其特点是()。
22.
渐近前沿模型中,饱和区和未吸收区有一个截然分明的界面。( )
23.
晶体管工作在饱和区的条件是发射结正偏,集电结正偏。
24.
当BJT三极管工作在饱和区的时候,发射结(),集电结()。
25.
MOSFET的饱和区又称为放大区。
26.
三极管工作区域分为截止区、饱和区和放大区。
27.
在饱和区,发射结处于()偏置,集电结也处于()偏置。
28.
截止区对应的是沟道夹断前,饱和区对应的是沟道夹断后,可变电阻区对应的是没有沟道
29.
三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都正偏。
30.
三极管工作在饱和区时,它的两个PN结必须是( )。
31.
关于N沟道JFET工作在饱和区的偏置电压极性,描述正确的是______。
32.
三极管饱和区的放大条件为( )。
33.
图中管子工作在饱和区, 已知。
34.
为了使晶体管工作于饱和区,必须保证()
35.
饱和区发射结正偏,集电结( )。
36.
如果晶体三极管的( ),则该管工作于饱和区。
37.
在脉冲与数字电路中,三极管主要工作于饱和区和截止区。( )
38.
下面选项中()为工作在饱和区的锗材料PNP管。
39.
三极管的工作区是截止区、放大区、饱和区。
40.
NPN 型三极管工作的饱和区的外部条件是什么?
41.
二极管和三极管在数字电路中可工作在截止区、饱和区和放大区
42.
如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。
43.
晶体管工作在饱和区时发射结正偏;集电结______偏。
44.
三极管管工作在饱和区的条件是( )
45.
晶体管工作在饱和区时,具有如下特点
46.
MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
47.
二极管的伏安特性分为饱和区、截止区和放大区。
48.
三极管放大区时:发射结()偏置,集电结()偏置 三极管饱和区时:发射结()偏置,集电结()偏置 三极管截止区时:集电结()偏置
49.
电压跟随器工作在运算放大器的饱和区。
50.
运算放大器工作的饱和区的特点()