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【判断题】

理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示()。

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参考答案:
举一反三

【单选题】下列公式表示正确的是()。

A.
组限=组中值÷2
B.
中值=(上限值+下限值)÷2
C.
组中值=(上限值—下限值)÷2
D.
组距=(上限值—下限值)÷2

【单选题】对一平行板电容器进行充电,充电完成后断开电源,仅增加两极板间距,其他条件不变,电容器极板间( )

A.
电场强度不变,电势差变大
B.
电场强度不变,电势差不变
C.
电场强度减小,电势差变大
D.
电场强度减变大,电势差变大
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组限=组中值÷2
B.
中值=(上限值+下限值)÷2
C.
组中值=(上限值—下限值)÷2
D.
组距=(上限值—下限值)÷2
【单选题】对一平行板电容器进行充电,充电完成后断开电源,仅增加两极板间距,其他条件不变,电容器极板间( )
A.
电场强度不变,电势差变大
B.
电场强度不变,电势差不变
C.
电场强度减小,电势差变大
D.
电场强度减变大,电势差变大
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