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【判断题】

对于单边突变pn结,耗尽区主要分布在轻掺杂一侧,但重掺杂一侧的电场梯度则更大。

A.
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B.
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刷刷题
参考答案:
举一反三

【单选题】MR磁场梯度包括在:()

A.
层面选择梯度
B.
相位编码梯度
C.
频率编码梯度
D.
以上均是
E.
以上均不是

【单选题】MR磁场梯度包括在()

A.
层面选择梯度
B.
相位编码梯度
C.
频率编码梯度
D.
以上均是
E.
以上均不是

【单选题】二极管在正向偏置条件下,势垒 ,耗尽区的宽度 。

A.
升高;变窄。
B.
升高;变宽。
C.
降低;变窄。
D.
降低;变宽。
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A.
层面选择梯度
B.
相位编码梯度
C.
频率编码梯度
D.
以上均是
E.
以上均不是
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A.
层面选择梯度
B.
相位编码梯度
C.
频率编码梯度
D.
以上均是
E.
以上均不是
【单选题】二极管在正向偏置条件下,势垒 ,耗尽区的宽度 。
A.
升高;变窄。
B.
升高;变宽。
C.
降低;变窄。
D.
降低;变宽。
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