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【简答题】

若锗中杂质电离能△E D =0.01eV,施主杂质浓度分别为N D =10 14 cm -3 及10 17 cm -3 ,计算

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参考答案:
举一反三

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。

A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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