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【单选题】
在晶格结构上，按一定规则交替排列着正离子和负离子，正负离子之间靠静电引力互相结合，这种晶体叫（）。
A.
离子晶体
B.
分子晶体
C.
原子晶体
D.
金属晶体
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参考答案：
举一反三
【单选题】滤线栅是由许多薄的铅条和易透过X线的低密度物质作为充填物，交替排列组成的。在X线摄影中使X线的中心线对准滤线栅板中心，原射线投射方向与滤线栅的铅条排列间隙在同一方向上，能通过铅条间隙而到达胶片产生影像。由于被照体产生的散射线是多中心、多方向的，其中大部分散射线被铅条所吸收，只有一小部分通过。滤线栅的指标：①栅比（R）：滤线栅铅条高度与填充物幅度的比值为栅比。②栅密度（n）：n表示在滤线栅表面上单位...
A.
钨
B.
铝
C.
锌
D.
铜
E.
铁
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
【单选题】设A是一个已有10个元素的栈，栈中依次是A1，A2，…，A10，栈顶是A10；B是一个已有10个元素的循环队列，队列中元素依次为B1，B2，…，B10，队头元素为B1。A、B均采用顺序结构，现要将栈中元素全部移入队列中，需( )次基本操作才能使得队列中元素与栈中元素交替排列，即B中排列后的元素为B1，A1，B2，A2，…，B10，A10。(不必考虑存储空间)
A.
100
B.
1000
C.
50
D.
20
【多选题】可以破坏抗原抗体复合物中静电引力的因素有（）
A.
环境因素中的pH过高
B.
环境因素中的pH过低
C.
增加环境因素中的离子强度
D.
降低环境因素中的离子强度
E.
当pH=7.4时
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A.
钨
B.
铝
C.
锌
D.
铜
E.
铁
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
【单选题】设A是一个已有10个元素的栈，栈中依次是A1，A2，…，A10，栈顶是A10；B是一个已有10个元素的循环队列，队列中元素依次为B1，B2，…，B10，队头元素为B1。A、B均采用顺序结构，现要将栈中元素全部移入队列中，需( )次基本操作才能使得队列中元素与栈中元素交替排列，即B中排列后的元素为B1，A1，B2，A2，…，B10，A10。(不必考虑存储空间)
A.
100
B.
1000
C.
50
D.
20
【多选题】可以破坏抗原抗体复合物中静电引力的因素有（）
A.
环境因素中的pH过高
B.
环境因素中的pH过低
C.
增加环境因素中的离子强度
D.
降低环境因素中的离子强度
E.
当pH=7.4时
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