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【判断题】

阱中MOSFET的衬底常接源极S

A.
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B.
错误
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参考答案：
举一反三

【单选题】NMOS器件的衬底是（）型半导体。
A.
N型
B.
P型
C.
本征型
D.
耗尽型
查看完整题目与答案

【单选题】VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
查看完整题目与答案

【简答题】[名词解释] 衬底色设计
查看完整题目与答案
平板印刷工考试>印刷原理与工艺考试题目

【单选题】P阱工艺的衬底是____衬底,_______管做在P阱里。
A.
P, NMOS
B.
N,NMOS
C.
P,PMOS
D.
P,NMOS
查看完整题目与答案

【单选题】外延时要求衬底必须是单晶的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】道路交通标志的衬底色不会是（）。
A.
绿色
B.
紫色
C.
白色
D.
蓝色
查看完整题目与答案

【单选题】气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
查看完整题目与答案

【多选题】假设粒子在一维无限深方势阱中，以下说法中正确的是
A.
如果粒子处在基态（能量最低状态），那么粒子的能量为零
B.
即使在基态，粒子的能量也不为零
C.
粒子出现在 势阱中任何位置的概率都相同
D.
粒子出现在 势阱边缘的概率为零
查看完整题目与答案

【单选题】源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。
A.
对地阻抗极大
B.
对地有数uF的电容
C.
对地有很高的电压
D.
以上都正确
查看完整题目与答案
数字电路考试题目

【单选题】在流动陷阱中：()
A.
货币政策有效，财政政策无效
B.
货币政策和财政政策都十分有效
C.
货币政策和财政政策都无效
D.
货币政策无效，财政政策有效
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相关题目：
【单选题】NMOS器件的衬底是（）型半导体。
A.
N型
B.
P型
C.
本征型
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耗尽型
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【单选题】VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
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【简答题】[名词解释] 衬底色设计
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【单选题】P阱工艺的衬底是____衬底,_______管做在P阱里。
A.
P, NMOS
B.
N,NMOS
C.
P,PMOS
D.
P,NMOS
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【单选题】外延时要求衬底必须是单晶的。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】道路交通标志的衬底色不会是（）。
A.
绿色
B.
紫色
C.
白色
D.
蓝色
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【单选题】气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
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【多选题】假设粒子在一维无限深方势阱中，以下说法中正确的是
A.
如果粒子处在基态（能量最低状态），那么粒子的能量为零
B.
即使在基态，粒子的能量也不为零
C.
粒子出现在 势阱中任何位置的概率都相同
D.
粒子出现在 势阱边缘的概率为零
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【单选题】源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。
A.
对地阻抗极大
B.
对地有数uF的电容
C.
对地有很高的电压
D.
以上都正确
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【单选题】在流动陷阱中：()
A.
货币政策有效，财政政策无效
B.
货币政策和财政政策都十分有效
C.
货币政策和财政政策都无效
D.
货币政策无效，财政政策有效
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