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【简答题】
用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为gp，非平衡空穴的寿命为τp，光脉冲宽度△t=3τp。
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参考答案：
举一反三
【单选题】由555定时器接成单稳态触发器，如图所示，VCC=5V，R=10kΩ，C=1μF，试计算其输出脉冲宽度TW。
A.
7ms
B.
10ms
C.
11ms
D.
15ms
【单选题】DME脉冲宽度是由（）的时间决定的。
A.
脉冲前后沿10%幅度点之间
B.
脉冲前后沿半幅度点之间
C.
脉冲前后沿90%幅度点之间
D.
脉冲前沿10%后沿90%幅度点之间
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
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7ms
B.
10ms
C.
11ms
D.
15ms
【单选题】DME脉冲宽度是由（）的时间决定的。
A.
脉冲前后沿10%幅度点之间
B.
脉冲前后沿半幅度点之间
C.
脉冲前后沿90%幅度点之间
D.
脉冲前沿10%后沿90%幅度点之间
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
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