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【判断题】

与双极型晶体管 相同, 场效应管 也是电流控制器件。

A.
正确
B.
错误
题目标签：场效应管控制器件双极型晶体管
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参考答案：
举一反三

【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
查看完整题目与答案

【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
查看完整题目与答案

【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案

【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
查看完整题目与答案

【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
查看完整题目与答案

【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
查看完整题目与答案

【多选题】双极型晶体管集成电路的特点是()
A.
集成度高
B.
功耗低
C.
工作速度高
D.
驱动能力强
查看完整题目与答案

【单选题】绝缘栅双极型晶体管简称（）。
A.
MOSFET
B.
IGBT
C.
GTR
D.
GTO
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变频技术>变频技术考试题目

【多选题】下列为电力电子电流型控制器件的是（）。
A.
GTO
B.
GTR
C.
P－MOSFET
D.
SCR
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耗尽型 PMOS
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A.
正确
B.
错误
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A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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A.
集成度高
B.
功耗低
C.
工作速度高
D.
驱动能力强
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【单选题】绝缘栅双极型晶体管简称（）。
A.
MOSFET
B.
IGBT
C.
GTR
D.
GTO
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【多选题】下列为电力电子电流型控制器件的是（）。
A.
GTO
B.
GTR
C.
P－MOSFET
D.
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