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【简答题】

以As作为杂质元素掺入本征半导体Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

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刷刷题
参考答案:
举一反三

【单选题】在P型半导体中_______。

A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。

A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗

【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。

A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)

【单选题】P型半导体的多子是

A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
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C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
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A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。
A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)
【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
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