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【单选题】

NMOS管的衬底是

A.
掺杂浓度低的N型半导体
B.
掺杂浓度低的P型半导体
C.
掺杂浓度高的N型半导体
D.
掺杂浓度高的P型半导体
题目标签：衬底
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参考答案：
举一反三

【单选题】NMOS器件的衬底是（）型半导体。
A.
N型
B.
P型
C.
本征型
D.
耗尽型
查看完整题目与答案

【判断题】外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
查看完整题目与答案

【简答题】[名词解释] 衬底色设计
查看完整题目与答案
平板印刷工考试>印刷原理与工艺考试题目

【单选题】P阱工艺的衬底是____衬底,_______管做在P阱里。
A.
P, NMOS
B.
N,NMOS
C.
P,PMOS
D.
P,NMOS
查看完整题目与答案

【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】外延时要求衬底必须是单晶的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】道路交通标志的衬底色不会是（）。
A.
绿色
B.
紫色
C.
白色
D.
蓝色
查看完整题目与答案

【单选题】气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
查看完整题目与答案

【单选题】源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。
A.
对地阻抗极大
B.
对地有数uF的电容
C.
对地有很高的电压
D.
以上都正确
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数字电路考试题目
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
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【单选题】P阱工艺的衬底是____衬底,_______管做在P阱里。
A.
P, NMOS
B.
N,NMOS
C.
P,PMOS
D.
P,NMOS
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【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】道路交通标志的衬底色不会是（）。
A.
绿色
B.
紫色
C.
白色
D.
蓝色
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【单选题】气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
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【单选题】源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。
A.
对地阻抗极大
B.
对地有数uF的电容
C.
对地有很高的电压
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