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【简答题】

施主浓度 N D =10 17 cm -3 的硅和金属接触形成的肖特基势垒高度为 V D =0.3eV ,计算: 1. 半导体的功函数 2. 电子从金属向半导体一侧跃迁的 势垒高度 3. 外加反向电压 1V 时的势垒宽度和势垒电容

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