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【判断题】
在蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜,一般首先生长成核层和缓冲层,以改善GaN外延薄膜的晶体质量。( )
A.
正确
B.
错误
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参考答案：
举一反三
【多选题】卡门认为,湍流层模型边界层由三组成,即 ( ) a. 湍流主体 b. 层流边界层 c . 层流内层 d . 缓冲层
A.
湍流主体
B.
选项B的内容
C.
层流内层
D.
缓冲层
【单选题】为了消除蓝宝石衬底对器件电极分布和散热问题的影响,可以通过激光剥离的方法将蓝宝石衬底去除掉,换成其他导电衬底而制成()。
A.
FC-LED
B.
TF-LED
C.
异形LED
【多选题】缓冲层的选择原则是（ ）。
A.
具有较大的禁带宽度，以使更多的光能够透过缓冲层被吸收层吸收，贡献更大的光电流
B.
导带位置要与吸收层匹配，不会产生大的导带边失配（或称导带带阶）
C.
导电特性必须是低阻n型以保证足够大的接触电势差和耗尽区宽度，以便更好地实现电荷分离与收集
D.
具有与吸收层材料晶格匹配或有同源的阴离子，p-n结界面缺陷少，进而界面复合中心少
【单选题】如果进入吸附装置的气体已经经过净化装置或甘醇脱水装置处理，物流中含有胺类或甘醇，可能破坏吸附剂，应在塔顶设一层（）作为缓冲层，在物流到达吸附剂之前除去。
A.
分子筛
B.
活性氧化铝
C.
硅胶
D.
活性炭
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层流内层
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A.
FC-LED
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TF-LED
C.
异形LED
【多选题】缓冲层的选择原则是（ ）。
A.
具有较大的禁带宽度，以使更多的光能够透过缓冲层被吸收层吸收，贡献更大的光电流
B.
导带位置要与吸收层匹配，不会产生大的导带边失配（或称导带带阶）
C.
导电特性必须是低阻n型以保证足够大的接触电势差和耗尽区宽度，以便更好地实现电荷分离与收集
D.
具有与吸收层材料晶格匹配或有同源的阴离子，p-n结界面缺陷少，进而界面复合中心少
【单选题】如果进入吸附装置的气体已经经过净化装置或甘醇脱水装置处理，物流中含有胺类或甘醇，可能破坏吸附剂，应在塔顶设一层（）作为缓冲层，在物流到达吸附剂之前除去。
A.
分子筛
B.
活性氧化铝
C.
硅胶
D.
活性炭
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