图形化蓝宝石衬底外延片 主要用于制备氮化镓基发光二极管。主要由图形化PSS处理蓝宝石衬底(即以蚀刻的方式,在蓝宝石基板上制作出微米级或纳米级的凹凸图案)、缓冲层、N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层构成。缓冲层为高纯氮化镓,量子阱发光层一般为多个周期重复的氮化镓铟/氮化镓层。各层均由化学气相沉积法生长而成,其内部及表面均无电路。用于制作纯蓝、纯绿色发光二极管芯片。该商品在外延N型氮化镓层、P型氮化镓层时已含N型、P型物质,形成独立导电区。 生产工艺:衬底→缓冲层生长→N型氮化镓层生长→多量子阱发光层生长→P型氮化镓层生长→退火→检测→外延片 商品进口后加工成发光二极管芯片的主要加工工艺:刻蚀→蒸发→光刻→磨抛→划片裂片→翻转→目检分选→包装。