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【判断题】

电渗析膜堆中阴膜和阳膜交替排列

A.
正确
B.
错误
题目标签：渗析膜电渗析交替排列
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参考答案：
举一反三

【判断题】堡礁的礁前坡常有一系列的指状突起与沙沟交替排列，称作脊-槽或者礁脊。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】旋转磁场磁选机的磁源为交替排列的永久磁铁，它绕轴快速旋转，磁场强度的大小与方向随()变化而变化。
A.
速度
B.
时间
C.
磁块
D.
圆周
查看完整题目与答案

【简答题】滤线栅是由许多薄的铅条和易透过X线的低密度物质作为充填物，交替排列组成的。在X线摄影中使X线的中心线对准滤线栅板中心，原射线投射方向与滤线栅的铅条排列间隙在同一方向上，能通过铅条间隙而到达胶片产生影像。由于被照体产生的散射线是多中心、多方向的，其中大部分散射线被铅条所吸收，只有一小部分通过。滤线栅的指标：(1)栅比(R)：滤线栅铅条高度与填充物幅度的比值为栅比。(2)栅密度(n)：n表示在滤线栅表...
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【单选题】电渗析时，阴极会发生什么反应？
A.
中和反应
B.
氧化反应
C.
还原反应
D.
交换反应
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【单选题】滤线栅是由许多薄的铅条和易透过X线的低密度物质作为充填物，交替排列组成的。在X线摄影中使X线的中心线对准滤线栅板中心，原射线投射方向与滤线栅的铅条排列间隙在同一方向上，能通过铅条间隙而到达胶片产生影像。由于被照体产生的散射线是多中心、多方向的，其中大部分散射线被铅条所吸收，只有一小部分通过。滤线栅的指标：①栅比（R）：滤线栅铅条高度与填充物幅度的比值为栅比。②栅密度（n）：n表示在滤线栅表面上单位...
A.
钨
B.
铝
C.
锌
D.
铜
E.
铁
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放射医学技术(师)>专业知识综合练习考试题目

【单选题】滤线栅是由许多薄的铅条和易透过X线的低密度物质作为充填物，交替排列组成的。在X线摄影中使X线的中心线对准滤线栅板中心，原射线投射方向与滤线栅的铅条排列间隙在同一方向上，能通过铅条间隙而到达胶片产生影像。由于被照体产生的散射线是多中心、多方向的，其中大部分散射线被铅条所吸收，只有一小部分通过。滤线栅的指标：①栅比（R）：滤线栅铅条高度与填充物幅度的比值为栅比。②栅密度（n）：n表示在滤线栅表面上单位...
A.
55kV
B.
60kV
C.
65kV
D.
70kV
E.
75kVX
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【单选题】1865年德国化学家凯库勒提出，苯是一个（）六元碳环，环上碳原子之间以单双键交替排列。
A.
立体
B.
带支链
C.
直线
D.
平面
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【单选题】电渗析的推动力是( )
A.
电位差
B.
压力差
C.
浓度差
D.
速率差
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【判断题】电渗析过程的传质推动力是外加电动势和膜两段的离子浓度差。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】设A是一个已有10个元素的栈，栈中依次是A1，A2，…，A10，栈顶是A10；B是一个已有10个元素的循环队列，队列中元素依次为B1，B2，…，B10，队头元素为B1。A、B均采用顺序结构，现要将栈中元素全部移入队列中，需( )次基本操作才能使得队列中元素与栈中元素交替排列，即B中排列后的元素为B1，A1，B2，A2，…，B10，A10。(不必考虑存储空间)
A.
100
B.
1000
C.
50
D.
20
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A.
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A.
速度
B.
时间
C.
磁块
D.
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【单选题】电渗析时，阴极会发生什么反应？
A.
中和反应
B.
氧化反应
C.
还原反应
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A.
钨
B.
铝
C.
锌
D.
铜
E.
铁
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【单选题】滤线栅是由许多薄的铅条和易透过X线的低密度物质作为充填物，交替排列组成的。在X线摄影中使X线的中心线对准滤线栅板中心，原射线投射方向与滤线栅的铅条排列间隙在同一方向上，能通过铅条间隙而到达胶片产生影像。由于被照体产生的散射线是多中心、多方向的，其中大部分散射线被铅条所吸收，只有一小部分通过。滤线栅的指标：①栅比（R）：滤线栅铅条高度与填充物幅度的比值为栅比。②栅密度（n）：n表示在滤线栅表面上单位...
A.
55kV
B.
60kV
C.
65kV
D.
70kV
E.
75kVX
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【单选题】1865年德国化学家凯库勒提出，苯是一个（）六元碳环，环上碳原子之间以单双键交替排列。
A.
立体
B.
带支链
C.
直线
D.
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【单选题】电渗析的推动力是( )
A.
电位差
B.
压力差
C.
浓度差
D.
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【判断题】电渗析过程的传质推动力是外加电动势和膜两段的离子浓度差。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】设A是一个已有10个元素的栈，栈中依次是A1，A2，…，A10，栈顶是A10；B是一个已有10个元素的循环队列，队列中元素依次为B1，B2，…，B10，队头元素为B1。A、B均采用顺序结构，现要将栈中元素全部移入队列中，需( )次基本操作才能使得队列中元素与栈中元素交替排列，即B中排列后的元素为B1，A1，B2，A2，…，B10，A10。(不必考虑存储空间)
A.
100
B.
1000
C.
50
D.
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