A.
V族元素在Si和Ge中一般作为施主杂质,这是因为它们比Si和Ge多一个价电子,这个多余的价电子很容易挣脱束缚成为导带电子
B.
V族杂质在Si和Ge中释放电子的过程称为施主电离,施主电离所需的能量称为施主电离能,这个能力比禁带宽度要小得多
C.
被施主杂质束缚的电子对应的能量状态称为施主能级,它位于禁带中,但是距离导带底很近,它和导带底之间的差距即为施主电离能
D.
在纯净半导体中掺入施主杂质,杂质电离后导带中导电电子增多,半导体的导电能力增强,这时半导体中只有电子没有空穴,称为n型半导体