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【简答题】

一电阻率3Ω·cm,n型硅样品,使其表面开始出现强反型,试求表面空间电荷区中恰好为本征的位置与空间电荷区边界的距离。硅的相对介电常数εrs=12,μn=1350cm2/(V·s)

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参考答案:
举一反三

【单选题】介电常数更高的材料是()。

A.
氧化锆陶瓷
B.
氧化钛瓷
C.
钛酸钡陶瓷
D.
氧化锌陶瓷

【多选题】pn 结的空间电荷区中,多子的扩散使( )。

A.
p 区带正电
B.
p区带负电
C.
n 区带正电
D.
n 区带负电

【单选题】空间电荷低偿变压器好坏的判断及调整方法,哪组是错误的?()

A.
测量初级和次级线圈间的电阻约100Ω
B.
初级留的空线柱为调整时用的
C.
次级留的空线柱为调整时用的
D.
当管电流受电压的影响时,可以调整空间电荷抵偿变压的初线线柱
E.
当管电流受电压的变化时,可以调整空间电荷抵偿变压的次级线柱
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B.
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D.
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【多选题】pn 结的空间电荷区中,多子的扩散使( )。
A.
p 区带正电
B.
p区带负电
C.
n 区带正电
D.
n 区带负电
【单选题】空间电荷低偿变压器好坏的判断及调整方法,哪组是错误的?()
A.
测量初级和次级线圈间的电阻约100Ω
B.
初级留的空线柱为调整时用的
C.
次级留的空线柱为调整时用的
D.
当管电流受电压的影响时,可以调整空间电荷抵偿变压的初线线柱
E.
当管电流受电压的变化时,可以调整空间电荷抵偿变压的次级线柱
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