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【简答题】
在霍耳效应的实验中,通过半导体材料的电流I和B 的方向垂直 ( 如图 所示 ).实验测得霍尔电势上低下高,则该材料为 型半导体
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参考答案：
举一反三
【单选题】在半导体材料中,其正确的说法是( )
A.
P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电
B.
N型半导体中由于多数载流子为电子，所以它负正电
C.
P型和N型半导体材料本身都不带电。
D.
以上说法都不正确
【多选题】以下( )是宽禁带半导体材料的电力电子器件的特点。
A.
高的很多的耐受高电压的能力；
B.
低得多的通态电阻；
C.
更差的导热性能和热稳定性；
D.
更强的耐受高温能力。
【多选题】对常用的半导体材料硅和锗的描述正确的是()。( 1 分)
A.
都是四价元素
B.
最外层轨道上有四个价电子
C.
它们的晶体是靠共价键作用联系在一起的
D.
它们的晶体是靠离子键作用联系在一起的
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C.
P型和N型半导体材料本身都不带电。
D.
以上说法都不正确
【多选题】以下( )是宽禁带半导体材料的电力电子器件的特点。
A.
高的很多的耐受高电压的能力；
B.
低得多的通态电阻；
C.
更差的导热性能和热稳定性；
D.
更强的耐受高温能力。
【多选题】对常用的半导体材料硅和锗的描述正确的是()。( 1 分)
A.
都是四价元素
B.
最外层轨道上有四个价电子
C.
它们的晶体是靠共价键作用联系在一起的
D.
它们的晶体是靠离子键作用联系在一起的
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