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【单选题】
铸造多晶硅过程中,跟晶锭下部相比,晶锭上部(最后结晶)的氧杂质浓度偏(),碳杂质浓度偏()。
A.
低、高
B.
高、低
C.
高、高
D.
低、低
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参考答案：
举一反三
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【单选题】现在食品安全危害与过去相比，以下说法错误的是（ ）
A.
过去的事故高死亡率，影响面广泛，现在低死亡率
B.
传统病原体向新出现的病原体的变化
C.
通常呈地方性爆发向国际范围大面积爆发的趋势
D.
过去许多食品传染的疾病应用普通的抗生素效果明显，使用剂量比较小，现在大剂量使用常用的抗生素几乎无效
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硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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A.
过去的事故高死亡率，影响面广泛，现在低死亡率
B.
传统病原体向新出现的病原体的变化
C.
通常呈地方性爆发向国际范围大面积爆发的趋势
D.
过去许多食品传染的疾病应用普通的抗生素效果明显，使用剂量比较小，现在大剂量使用常用的抗生素几乎无效
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