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【简答题】
场效应管和晶体管噪声的主要来源有哪些?为什么场效应管内部噪声较小?
题目标签:
场效应管
内部噪声
晶体管
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参考答案:
举一反三
【多选题】UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 ( ) 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
查看完整题目与答案
【单选题】晶体管∶电视机
A.
老鼠∶尾巴
B.
标题∶导语
C.
题目∶论文
D.
芙蓉∶荷花
查看完整题目与答案
公务员类>招警考试试卷考试题目
【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】晶体管按结构分,有()类型。
A.
NPN
B.
PPN
C.
NNP
D.
PNP
查看完整题目与答案
【判断题】理想接收机(没有内部噪声的接收机)的噪声系数等于1。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案
【单选题】晶体管有( )型。
A.
NNP
B.
NPP
C.
PNP
D.
PPN
查看完整题目与答案
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
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A.
正确
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A.
NPN
B.
PPN
C.
NNP
D.
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A.
正确
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B.
较小
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C.
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D.
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A.
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B.
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D.
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