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【单选题】

使质子化学位移出现在高场的原因是( )。

A.
形成氢键
B.
去屏蔽效应
C.
屏蔽效应
D.
连接了电负性大的基团
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参考答案:
举一反三

【单选题】以下移出新面说法正确的是()

A.
移出断面必须要标注
B.
重合断面可用粗实线绘制
C.
移出断面有时须用剖视绘制
D.
移出断面不允许旋转配置

【单选题】预测化合物H2C=CH-CHO的质子化学位移,以下说法正确的是 ( )

A.
-CHO中氢的位移最大
B.
临近醛基的烯氢,化学位移小于末端烯氢
C.
临近醛基的烯氢的位移最大
D.
末端烯氢的化学位移最大
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D.
移出断面不允许旋转配置
【单选题】预测化合物H2C=CH-CHO的质子化学位移,以下说法正确的是 ( )
A.
-CHO中氢的位移最大
B.
临近醛基的烯氢,化学位移小于末端烯氢
C.
临近醛基的烯氢的位移最大
D.
末端烯氢的化学位移最大
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