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【判断题】

固溶体中,能保留住晶格结构含量较多的元素称为溶剂,而晶格结构消失的元素称为溶质。

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参考答案:
举一反三

【多选题】类质同像混合物也称类质同像混晶,是一种固溶体。固溶体描述正确的是

A.
固溶体是指固体状态下,一组分溶于另一种组分之中而形成的均匀固体。
B.
固溶体包括“代替固溶体”和“侵入固溶体”
C.
通过质点的代替而形成的称为“代替固溶体”
D.
通过某种质点侵入他种质点的晶格空隙而形成称为“侵入固溶体”

【单选题】什么是超晶格结构?

A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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B.
固溶体包括“代替固溶体”和“侵入固溶体”
C.
通过质点的代替而形成的称为“代替固溶体”
D.
通过某种质点侵入他种质点的晶格空隙而形成称为“侵入固溶体”
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A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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