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【单选题】

（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

A.
热退火
B.
激光退火
C.
连续激光退火
D.
脉冲激光退火
题目标签：半导体离子注入功率密度
相关题库：集成电路制造工艺员（三级）题库
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举一反三

【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有（ ）
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
查看完整题目与答案

【简答题】离子注入后退火的作用是什么？
查看完整题目与答案

【简答题】由于电子束功率密度大，加热集中，热效率高，特别适合（）及热敏感性强的金属材料的焊接。
查看完整题目与答案

【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源，其特点有（　）。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
查看完整题目与答案

【简答题】功率密度（LPD）如何计算？
查看完整题目与答案

【多选题】堆芯功率密度分布的展平方法有()。
A.
堆芯径向分区装载
B.
合理布置控制棒
C.
引入合理分布的可燃毒物
D.
采用化学补偿液
E.
堆芯周围设置反射层
查看完整题目与答案

【多选题】离子注入有下面哪种特点：
A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
查看完整题目与答案

【简答题】已知燃料元件棒的体积释率，如何换算成燃料元件棒表面的热流密度和燃料元件棒的线功率密度？
查看完整题目与答案

【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
肖克利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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引入合理分布的可燃毒物
D.
采用化学补偿液
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A.
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与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
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A.
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