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【简答题】
某霍尔元件尺寸（l、b、d）为1.0cm*0.35cm*0.1cm，沿着l方向通以电流I=1.0mA，在垂直lb面加有均匀磁场B=0.3T，传感器的灵敏度系数为22V/A⋅T，求其输出霍尔电动势和载流子浓度。
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参考答案：
举一反三
【单选题】一阴极射线（电子束，m=9.1×10-31Kg，q=-1.6×10-19）在B=4.5Mt的均匀磁场中的轨迹是半径为2cm的圆周。则电子的速度是（）
A.
4.37×107
B.
3.49×107
C.
2.52×107
D.
1.58×107
【单选题】一根长为L，载流I的直导线置于均匀磁场【图片】中，计算安培力大小的公式是【图片】, 这个公式中的【图片】代表
A.
直导线中电流方向和磁场 的夹角。
B.
直导线 L 和磁场 的夹角。
C.
直导线 L 的法线和磁场 的夹角。
D.
因为是直导线和均匀磁场，则可令 =90 ° 。
【多选题】霍尔元件不等位电势产生的主要原因（）
A.
霍尔电极安装位置不对称或不在同一等位上
B.
半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.
周围环境温度变化
D.
激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
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A.
4.37×107
B.
3.49×107
C.
2.52×107
D.
1.58×107
【单选题】一根长为L，载流I的直导线置于均匀磁场【图片】中，计算安培力大小的公式是【图片】, 这个公式中的【图片】代表
A.
直导线中电流方向和磁场 的夹角。
B.
直导线 L 和磁场 的夹角。
C.
直导线 L 的法线和磁场 的夹角。
D.
因为是直导线和均匀磁场，则可令 =90 ° 。
【多选题】霍尔元件不等位电势产生的主要原因（）
A.
霍尔电极安装位置不对称或不在同一等位上
B.
半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.
周围环境温度变化
D.
激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
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