一个NPN硅晶体管基区宽度为2 mm，基区掺杂浓度为5E16 cm^-3，少子寿命为1E-6 S，基区少子扩散系数为15 cm^2/S，发射极电流密度为0.1 A/cm^2，计算在发射结基区一边的非平衡电子浓度()E12 cm^-3（精确到小数点后4位,Si的ni=1.45E10 cm^-3）。