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【单选题】

半导体三极管是( A )控制器件,场效应管是()控制器件。

A.
电流
B.
电压
C.
电阻
D.
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刷刷题
参考答案:
举一反三

【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有( )

A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管

【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。

A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作

【多选题】金属和半导体接触分包括:( )

A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触

【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____

A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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A.
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B.
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耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
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A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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