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【单选题】

阅读以下文字,完成以下问题。
纳米技术是指在0.1-100纳米(NM)尺度范围研究和应用原子和分子现象,并由此而发展起来的多学科的基础研究和应用研究科学技术以及工程科学技术。例如,纳米电子学、纳米光学、纳米工程、纳米材料、纳米生物学和纳米医学等。
早在50年代,美国物理学家理查得·费曼曾预言:要是人们熊按自己的意思安排一个个的原子,制造各种产品,将会产生奇迹。从70年代起,许多科学家就纳米技术问题提出各种[ ],并在美国斯坦福大学成立了纳米技术研究组。到80年代,制成了第一个扫描隧道显微镜 (STM),揭示了一个“可见”的原子和分子的形态。至此,一种可观察和安排原子的工具和手段成为现实,为纳米技术研究立下了第一块奠基石。
近几年,纳米技术的突飞猛进和广泛的应用,显示出强大的生命力。(1)STM是1986年诺贝尔物理奖项目,具有比电子显微镜更高的分辨率,横向0.1NM,纵向好于0.01NM,能直接观察物质表面原子的结构,使人们可以直接窥视原子和分子的世界,获取丰富的物质结构信息。(2)纳米电子学。根据目前的发展趋势,不久即可制成小于0.1NM的元件。已研制的共振隧道二极管,其伏安特性曲线中峰谷比为23:1,还有量子耦合器件、量子导线等。它们高速、低耗、在常温下工作。现已找到一种具有开关功能的记忆分子。将来可望找到某种特殊的、具有电子功能的分子,代替一个电路元件。不久的将来,人们可见到类似人类感觉器官的“器官”集成芯片。(3)纳米材料科学。目前已发现了纳米尺寸的陶瓷粒子,可用于作载体的病毒诱导物。(4)纳米生物学。生命科学是当今的前沿科学研究生命科学,所遇到的大都是要考察生物。
分子结构和功能。采用纳米电子学技术,将生物系统和微机机械系统结合起来,建造纳米机器人,在人体组织内进行健康检查和疾病治疗。(5)纳米工程、机械学。已研制出纳米马达,具有1NM的定位精度和200NM/秒的速度。在常温和高真空的条件下,实现了单原子蚀刻,即NM量级的加工和操作。总之,随着纳米技术的发展,会大大推动诸如紫外、核效应、离子束、中子衍射、同步辐射、电子束和精密机械等学科技术的发展。相反,这些科学技术的发展又对纳米技术提出更高的要求。它们之间相互渗透,相互促进。
人类社会的高速发展,带来了许多亟待解决的问题。例如,如何保持生态平衡的问题;如何制造新材料、新品种,满足人类需要的问题;如何防治疾病,快速治疗和诊断,确保人类健康长寿等问题。一些结果表明,纳米技术可以帮助我们解决这些问题,使我们直接利用原子、分子进行生产加工,用人们新的思维和新生产模式,推动社会的发展,引起一次大的飞跃。这就是纳米技术的关键所在。正因为如此,一些发达国家,如美、英、日等国家投入了大量的人力和物力来开发这门崭新的科学技术。
文中的“第一块奠基石”是指( )。

A.
美国斯坦福大学成立了纳米技术研究组
B.
采用纳米电子学技术,将生物系统和微机机械系统结合起来,建造纳米机器人,在人体组织内进行健康检查和疾病治疗
C.
到80年代,制成了第一个扫描隧道显微镜(ST,揭示了一个“可见”的原子和分子的形态
D.
纳米技术的突飞猛进和广泛的应用
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举一反三

【单选题】硅管和锗管的伏安特性曲线( )

A.
就是同一条曲线
B.
锗管的特性曲线靠近纵轴
C.
硅管的特性曲线靠近纵轴
D.
在某个位置重合

【单选题】两个不等值电阻的伏安特性曲线如图所示,下列表述中正确的是

A.
特性a对应的电阻值大,两电阻串联后的伏安特性处于Ⅰ区域
B.
特性b对应的电阻值大,两电阻串联后的伏安特性处于Ⅱ区域
C.
特性a对应的电阻值大,两电阻并联后的伏安特性处于Ⅲ区域
D.
特性b对应的电阻值大,两电阻并联后的伏安特性处于Ⅰ区域

【单选题】扫描隧道显微镜是基于哪个原理进行工作的()

A.
原子间相互作用力
B.
量子尺寸效应
C.
表面效应
D.
量子隧穿效应

【单选题】做“描绘小灯泡的伏安特性曲线”时所描绘曲线不是直线,某同学分析实验结论时给出以下理由,其中正确的是 [ ]

A.
电源电压较高,降低电压就一定会是直线
B.
小灯泡灯丝电阻不是恒值,随温度升高会发生变化
C.
电路中的连接点有接触不良的现象
D.
改描I-U曲线可能变为直线

【单选题】某一导体的伏安特性曲线如图所示的 AB 曲线,关于导体的电阻,以下说法正确的是 ( ) 。

A.
B 点的电阻为 12 Ω
B.
B 点的电阻为 40 Ω
C.
工作状态从 A 变化到 B 时,导体的电阻因温度的影响改变了 1 Ω
D.
工作状态从 A 变化到 B 时,导体的电阻因温度的影响改变了 9 Ω
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A.
特性a对应的电阻值大,两电阻串联后的伏安特性处于Ⅰ区域
B.
特性b对应的电阻值大,两电阻串联后的伏安特性处于Ⅱ区域
C.
特性a对应的电阻值大,两电阻并联后的伏安特性处于Ⅲ区域
D.
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C.
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A.
B 点的电阻为 12 Ω
B.
B 点的电阻为 40 Ω
C.
工作状态从 A 变化到 B 时,导体的电阻因温度的影响改变了 1 Ω
D.
工作状态从 A 变化到 B 时,导体的电阻因温度的影响改变了 9 Ω
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