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【判断题】

场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力

A.
正确
B.
错误
题目标签：场效应管控制能力漏极电流
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参考答案：
举一反三

【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
查看完整题目与答案

【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案

【判断题】有辨认能力一定没有控制能力，没有控制能力也必然没有辨认能力。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】电力 MOSFET 的转移特性指漏极电流和栅源间电压的关系。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A.
栅极电流
B.
栅源电压
C.
源极电压
D.
源极电流
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【单选题】（）具有快速多目标控制能力
A.
交流输电
B.
柔性交流输电
C.
柔性直流输电
D.
直流输电
查看完整题目与答案

【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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A.
正确
B.
错误
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A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【判断题】有辨认能力一定没有控制能力，没有控制能力也必然没有辨认能力。
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
栅极电流
B.
栅源电压
C.
源极电压
D.
源极电流
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【单选题】（）具有快速多目标控制能力
A.
交流输电
B.
柔性交流输电
C.
柔性直流输电
D.
直流输电
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A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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