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【单选题】

如图所示耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 MW，RS = 2 kW，RD= 12 kW ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，则 ID是（ ）。

A.
2mA
B.
4mA
C.
1mA
D.
3mA
题目标签：耗尽型沟道
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参考答案：
举一反三

【判断题】结型场效应管均为耗尽型。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】某MOSFET的IDSS=10mA且UP=－8V。（1）此元件是P沟道还是N沟道？（2）计算UGS=－3V是的ID；（3）计算UGS=3V时的ID。
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【多选题】N沟道推挽驱动器()
A.
需要二个N沟道器件
B.
实现正负电压驱动
C.
控制较简单
D.
需要一个电平转换器
查看完整题目与答案

【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】排水沟道的主要任务是（）
A.
排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
D.
水产养殖
查看完整题目与答案
水利部质量检测员考试>灌排工程工考试题目

【判断题】排水沟道的主要任务是水产养殖
A.
正确
B.
错误
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【多选题】生产厂房内外工作场所的（ ）或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
洞
查看完整题目与答案

【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
查看完整题目与答案

【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
B.
错误
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正确
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A.
需要二个N沟道器件
B.
实现正负电压驱动
C.
控制较简单
D.
需要一个电平转换器
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【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
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【单选题】排水沟道的主要任务是（）
A.
排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
D.
水产养殖
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【判断题】排水沟道的主要任务是水产养殖
A.
正确
B.
错误
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【多选题】生产厂房内外工作场所的（ ）或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
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【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
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A.
正确
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