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【判断题】

MOS是金属－氧化物－半导体场效应管的英文缩写。( )

A.
正确
B.
错误
题目标签：场效应管半导体英文缩写
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参考答案：
举一反三

【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
查看完整题目与答案

【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有（ ）
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
查看完整题目与答案

【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
查看完整题目与答案

【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案

【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源，其特点有（　）。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
查看完整题目与答案

【单选题】全球位置码的英文缩写是()。
A.
GTIN
B.
SSCC
C.
GRAI
D.
GLN
查看完整题目与答案

【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
肖克利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
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【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有（ ）
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
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【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源，其特点有（　）。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
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【单选题】全球位置码的英文缩写是()。
A.
GTIN
B.
SSCC
C.
GRAI
D.
GLN
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
肖克利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
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