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集成电路工艺原理题库
题数
96
考试分类
电子与通信技术>集成电路工艺原理
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简介
电子与通信技术-集成电路工艺原理
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章节目录
题目预览(可预览10题)
【判断题】
[1/96]阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
B
参考解析：
无
【判断题】
[2/96]离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
A
参考解析：
无
【判断题】
[3/96]光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
A
参考解析：
无
【判断题】
[4/96]刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
A
参考解析：
无
【判断题】
[5/96]大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
A
参考解析：
无
【判断题】
[6/96]成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
A
参考解析：
无
【判断题】
[7/96]LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
B
参考解析：
无
【判断题】
[8/96]冶金级硅的纯度为98%。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
A
参考解析：
无
【判断题】
[9/96]离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
A
参考解析：
无
【判断题】
[10/96]纯净的半导体是一种有用的半导体。
A.
正确
B.
错误
参考答案：
B
参考解析：
无
